Empreinte environnementale d’un composant de puissance GaN/Si

Cette ressource fait partie du N°113 de La Revue 3EI du 3^ième trimestre 2024 [5].

Les composants de puissance à base de semiconducteurs à large bande interdite “Wide Band Gap (WBG)” sont intéressants pour augmenter l’efficacité énergétique des convertisseurs de puissance, par rapport aux composants conventionnels à base de silicium (Si). Alors que le potentiel gain en efficacité énergétique est connu, le coût énergétique et les autres impacts environnementaux à la fabrication restent peu documentés. En effet, à notre connaissance, il n’y a pas ou peu de données d’analyse de cycle de vie (ACV) disponibles pour les composants de puissance à base de nitrure de gallium (GaN ou GaN/Si) et carbure de silicium (SiC).

Dans cette ressource, nous présentons une analyse de cycle de vie du berceau à la porte pour un composant de puissance GaN/Si, permettant d’identifier les postes les plus impactants et de proposer des pistes d’éco-conception

Contenu de la ressource :

1. Résumé
2. Introduction
3. Inventaire sur cycle de vie
4. Conclusion